空氣分子污染物監測系統快速監測、報警、極低濃度測量、寬測量區域、多氣體的高靈敏響應等是半導體工業要求之一。深紫外光刻工藝特別關注氨、胺類、N-甲基毗咯烷酮NMP、酸類等濃度測量，當這些氣體與化學放大光刻膠反生反應 時，將深深的影響半導體器件質量。

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